Ags71 - logo

MOSFET (HEXFET /FETKY) IRF530NN-kanal, kućište TO-220 I(D)12 A U(DS) 100 V

Kataloški br:
162410 - 62
Oznaka:
IRF530N
EAN:
2050000041020

(0)

Kataloški br:
162410 - 62
Oznaka:
IRF530N
EAN:
2050000041020

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 01.03.2025 do 03.03.2025

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

2.20  KM

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image
Infineon Technologies

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

C (ISS) referentni napon

25 V

C(ISS)

920 pF

Iskaznica)

17 A

Izvršenje

N-kanal

Kanala

1

Karakteristika tranzistora

zadano

Kućište

TO-263-3

Niz

HEXFET®

Proizv. skr.

INF

Proizvođač

Infineon Technologies

Q (G)

37nC

Q (G) referentni napon

10 V

R(DS)(on) Referentna struja

9 A

R(DS)(on) Referentni napon

10 V

R(DS)(uključeno)

90 mΩ

Radna temperatura (maks.)

+175 °C

Radna temperatura (min.)

-55 °C

Sadržaj

1 kom

Snaga (maks.) P(TOT)

3.8 W

Tip

IRF530N

U

100 V

U (GS) (th) Referentna struja maks.

250 µA

U(DSS)

100 V

U(GS)(th) maks.

4 V

Vrsta montaže

površinska montaža

Vrsta proizvoda

MOSFET

Opis

Opis

MOSFET tranzistor je komponenta pod nadzorom napona i može se izravno povezati s izvorima visokog otpora. Stoga je prikladan za upotrebu kao sklopka ili analogno pojačalo. Napomena: Proizvođač SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Ovaj tekst je strojno preveden.

Opseg isporuke

  • MOSFET Infineon Technologies IRF530N 1 N-kanal 3.8 W TO-263-3

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.