MOSFET tranzistori

C(ISS) 830pF

Izvršenje P kanal

Kanala 1

Kućište SOT-23

Niz HEXFET®

Proizvođač Infineon Technologies

R(DS)(on) Referentna struja 4.3 A

R(DS)(uključeno) 50 MΩ

Radna temperatura (maks.) +150 °C

Radna temperatura (min.) -55 °C

Sadržaj 1 kom

Snaga (maks.) P(TOT) 1.3 W

Tip IRLML6401TRPBF

U(DSS) 12 V

U(GS)(th) maks. 0.95 V

Vrsta montaže površinska montaža

C(ISS) 382 pF

Izvršenje N-kanal

Kanala 1

Kućište SOT-23

Niz HEXFET®

Proizvođač Infineon Technologies

R(DS)(on) Referentna struja 5.2 A

R(DS)(uključeno) 27 mΩ

Radna temperatura (maks.) +150 °C

Radna temperatura (min.) -55 °C

Sadržaj 1 kom

Snaga (maks.) P(TOT) 1.3 W

Tip IRLML0030TRPBF

U(DSS) 30 V

U(GS)(th) maks. 2.3 V

Vrsta montaže površinska montaža