Ags71 - logo

HEXFET/FETKY IRLR120N N-kanal,kućište DPAK I(D) 10 A U(DS)100 V

Kataloški br:
162845 - 62
Oznaka:
IRLR120N
EAN:
2050000044526

(0)

Kataloški br:
162845 - 62
Oznaka:
IRLR120N
EAN:
2050000044526

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 13.04.2025 do 15.04.2025

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

4.70  KM

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image
Infineon Technologies

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

C (ISS) referentni napon

25 V

C(ISS)

440pF

Iskaznica)

10 A

Izvršenje

N-kanal

Kanala

1

Karakteristika tranzistora

zadano

Kućište

TO-263-3

Niz

HEXFET®

Proizv. skr.

INF

Proizvođač

Infineon Technologies

Q (G)

20nC

Q (G) referentni napon

5 V

R(DS)(on) Referentna struja

6A

R(DS)(on) Referentni napon

10 V

R(DS)(uključeno)

185 mΩ

Radna temperatura (maks.)

+175 °C

Radna temperatura (min.)

-55 °C

Sadržaj

1 kom

Snaga (maks.) P(TOT)

48 W

Tip

IRLR120N

U

100 V

U (GS) (th) Referentna struja maks.

250 µA

U(DSS)

100 V

U(GS)(th) maks.

2 V

Vrsta montaže

površinska montaža

Vrsta proizvoda

MOSFET

Opis

Opis

Opseg isporuke

  • MOSFET Infineon Technologies IRLR120N 1 N-kanal 48 W TO-263-3

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.