IGBT-tranzistor IXYS IXGN200N60B3, N-kanal, kućište: SOT-227B, I(C): 200 A, U(CE

Kataloški br:
160817 - 62
Oznaka:
IXGN200N60B3
EAN:
2050001395603

(0)

Kataloški br:
160817 - 62
Oznaka:
IXGN200N60B3
EAN:
2050001395603

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 02.12.2024 do 04.12.2024

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

Blokirajući napon kolektor-emiter U(CES)

600 V

I(CM)

1200 A

Izvršenje

PT

Konfiguracija

Pojedinačno

Kućište

SOT-227B

Niz

GenX3

Preostala struja kolektora I (CES)

50 µA

Proizv. skr.

IXY

Proizvođač

IXYS

Q (G)

750 nC

Snaga (maks.) P(TOT)

830 W

Struja kolektora I(C)

300 A

Tip

IXGN200N60B3

Tip ulaza

zadano

Ulazni kapacitet

26nF

VCE zasičenost (max.)

1.5 V

Vrijeme odgode isključivanja t(d)(isključeno)(2)

450ns

Vrijeme odgode uključivanja t(d)(on)

44ns

Vrsta montaže

Kućište

Vrsta proizvoda

IGBT modul

Opis

Opis

Opseg isporuke

  • IGBT - modul IXYS IXGN200N60B3 SOT-227B pojedinačni standardni 600 V

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.