Ags71 - logo

MOSFET (HEXFET /FETKY) IRF1010N N-kanal, kućište TO-220 I(D) 85 A U(DS) 55 V

Kataloški br:
162362 - 62
Oznaka:
IRF1010NPBF
EAN:
2050000040627

(0)

Kataloški br:
162362 - 62
Oznaka:
IRF1010NPBF
EAN:
2050000040627

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 13.04.2025 do 15.04.2025

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

4.70  KM

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image
Infineon Technologies

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

C (ISS) referentni napon

25 V

C(ISS)

3210pF

Iskaznica)

85 A

Izvršenje

N-kanal

Kanala

1

Karakteristika tranzistora

zadano

Kućište

TO-220

Niz

HEXFET®

Proizv. skr.

INF

Proizvođač

Infineon Technologies

Q (G)

120 nC

Q (G) referentni napon

10 V

R(DS)(on) Referentna struja

43 A

R(DS)(on) Referentni napon

10 V

R(DS)(uključeno)

11 mΩ

Radna temperatura (maks.)

+175 °C

Radna temperatura (min.)

-55 °C

Sadržaj

1 kom

Snaga (maks.) P(TOT)

180 W

Tip

IRF1010NPBF

U

55 V

U (GS) (th) Referentna struja maks.

250 µA

U(DSS)

55 V

U(GS)(th) maks.

4 V

Vrsta montaže

Otvor za skoznik

Vrsta proizvoda

MOSFET

Opis

Opis

MOSFET tranzistor je komponenta pod nadzorom napona i može se izravno povezati s izvorima visokog otpora. Stoga je prikladan za upotrebu kao sklopka ili analogno pojačalo. Napomena: Proizvođač SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Ovaj tekst je strojno preveden.

Opseg isporuke

  • MOSFET Infineon Technologies IRF1010NPBF 1 N-kanal 180 W TO-220

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.