Power MOSFET, P-Kanal IRF5305P-kanal, kućište TO-220 I(D) -31 A U(DS) -55 V
- Kataloški br:
- 162408 - 62
- Oznaka:
- IRF5305
- EAN:
- 2050000041006
- Kataloški br:
- 162408 - 62
- Oznaka:
- IRF5305
- EAN:
- 2050000041006
Power MOSFET, P-Kanal IRF5305P-kanal, kućište TO-220 I(D) -31 A U(DS) -55 V
4.70 KM
Komada
Prodaja i slanje od:
Architektengruppe S71 d.o.o.
4.70 KM
sa PDV
Troškovi dostave
Komada
Tehničke specifikacije
Tehničke specifikacije
C (ISS) referentni napon
25 V
C(ISS)
1200pF
Iskaznica)
31 A
Izvršenje
P kanal
Kanala
1
Karakteristika tranzistora
zadano
Kućište
TO-263-3
Niz
HEXFET®
Proizv. skr.
INF
Proizvođač
Infineon Technologies
Q (G)
63 nC
Q (G) referentni napon
10 V
R(DS)(on) Referentna struja
16 A
R(DS)(on) Referentni napon
10 V
R(DS)(uključeno)
60 mΩ
Radna temperatura (maks.)
+175 °C
Radna temperatura (min.)
-55 °C
Sadržaj
1 kom
Snaga (maks.) P(TOT)
3.8 W
Sukladno RoHS
Da
Tip
IRF5305
U
55 V
U (GS) (th) Referentna struja maks.
250 µA
U(DSS)
55 V
U(GS)(th) maks.
4 V
Vrsta montaže
površinska montaža
Vrsta proizvoda
MOSFET
Opis
Opis
Opseg isporuke
- MOSFET Infineon Technologies IRF5305 1 P-kanal 3.8 W TO-263-3
Ocjene kupaca
Ocjene kupaca
Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.
Pribor za ovaj prooizvod
- Dodatni (5)
