Infineon technologies

C(ISS) 3400pF

Izvršenje P kanal

Kanala 1

Kućište TO-220

Niz HEXFET®

Proizvođač Infineon Technologies

R(DS)(on) Referentna struja 38 A

R(DS)(uključeno) 20 mΩ

Radna temperatura (maks.) +175 °C

Radna temperatura (min.) -55 °C

Sadržaj 1 kom

Snaga (maks.) P(TOT) 200 W

Tip IRF4905PBF

U(DSS) 55 V

U(GS)(th) maks. 4 V

Vrsta montaže Otvor za skoznik

C(ISS) 700pF

Izvršenje N-kanal

Kanala 1

Kućište TO-220

Niz HEXFET®

Proizvođač Infineon Technologies

R(DS)(on) Referentna struja 16 A

R(DS)(uključeno) 40 MΩ

Radna temperatura (maks.) +175 °C

Radna temperatura (min.) -55 °C

Sadržaj 1 kom

Snaga (maks.) P(TOT) 68 W

Tip IRFZ34NPBF

U(DSS) 55 V

U(GS)(th) maks. 4 V

Vrsta montaže Otvor za skoznik

C(ISS) 880 pF

Izvršenje HEXFET

Kanala 1

Kućište TO-220

Niz HEXFET®

Proizvođač Infineon Technologies

R(DS)(on) Referentna struja 16 A

R(DS)(uključeno) 35 mΩ

Radna temperatura (maks.) +175 °C

Radna temperatura (min.) -55 °C

Sadržaj 1 kom

Snaga (maks.) P(TOT) 68 W

Tip IRLZ34NPBF

U(DSS) 55 V

U(GS)(th) maks. 2 V

Vrsta montaže Otvor za skoznik

Izvršenje NPN

Kanala 1

Kućište SOT-23-3

Priključak kolektora U (CEO) 125 V

Proizvođač Infineon Technologies

Sadržaj 1 kom

Snaga (maks.) P(TOT) 330mW

Struja kolektora I(C) 800 mA

Tip BCX41E6327

VCE zasičenost (max.) 900 mV

Vrsta montaže površinska montaža

Vrsta pakiranja Rez trake

Konfiguracija (diode) Array - Dual

Kućište SOT-143-4

Napon zatvaranja U(R) 40 V

Povratna struja I(r) 10 µA

Prednja struja I(F) 20mA

Prednji napon U(F) 1 v

Proizvođač Infineon Technologies

Prolazni napon reference 2 mA

Radna temperatura (maks.) +150 °C

Sadržaj 1 kom

Sperrstrom I(r)-referentna 40 V

Tip BAT62

Vrsta montaže površinska montaža

Vrsta pakiranja Rez trake

Izvršenje NPN

Kanala 1

Kućište SOT-343

Priključak kolektora U (CEO) 12 V

Proizvođač Infineon Technologies

Sadržaj 1 kom

Snaga (maks.) P(TOT) 700 mW

Struja kolektora I(C) 150 mA

Tip BFP196W

Vrsta montaže površinska montaža