Ags71 - logo

MOSFET IRFD014PBF N-kanal, kućište HEXDIP I(D) 1.7 A U(DS) 60 V

Kataloški br:
162579 - 62
Oznaka:
IRFD014PBF
EAN:
2050000042379

(0)

Kataloški br:
162579 - 62
Oznaka:
IRFD014PBF
EAN:
2050000042379

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 10.05.2024 do 12.05.2024

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

2.80  KM

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image
Vishay

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

C (ISS) referentni napon

25 V

C(ISS)

310 pF

Iskaznica)

1.7 A

Izvršenje

N-kanal

Kanala

1

Karakteristika tranzistora

zadano

Kućište

HEXDIP

Proizv. skr.

INF

Proizvođač

Vishay

Q (G)

11 nC

Q (G) referentni napon

10 V

R(DS)(on) Referentna struja

1A

R(DS)(on) Referentni napon

10 V

R(DS)(uključeno)

200 mΩ

Radna temperatura (maks.)

+175 °C

Radna temperatura (min.)

-55 °C

Sadržaj

1 kom

Snaga (maks.) P(TOT)

1.3 W

Tip

IRFD014PBF

U

60 V

U (GS) (th) Referentna struja maks.

250 µA

U(DSS)

60 V

U(GS)(th) maks.

4 V

Vrsta montaže

Otvor za skoznik

Vrsta proizvoda

MOSFET

Opis

Opis

Opseg isporuke

  • MOSFET Infineon Technologies IRFD014PBF 1 N-kanal 1.3 W HEXDIP

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.